RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
40
Около -54% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.6
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
26
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
18.6
Скорость записи, Гб/сек
8.9
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1789
3756
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB Сравнения RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link