Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Средняя оценка

Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB

Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Сообщить об ошибке

Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB

Причины выбрать
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

25 30

Около -20% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.2 10.6

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.9 6.8

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 8500

Около 2 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

30 25
Скорость чтения, Гб/сек

10.6 16.2
Скорость записи, Гб/сек

6.8 11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

8500 17000

Other

Описание

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1066 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1479 2909

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB

Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB

модули RAM

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB

Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB

Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB

Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB

Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB

модули RAM

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB

модули RAM

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB

Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB

модули RAM

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB

Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB

модули RAM

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

UMAX Technology 16GB

UMAX Technology 16GB

модули RAM

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB

Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB

Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB

Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB

Kingston 99U5734-036.A00G 16GB

Kingston 99U5734-036.A00G 16GB

модули RAM