RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
30
Около -36% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
22
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
17.7
Скорость записи, Гб/сек
6.8
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
3066
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link