RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
30
Около -7% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.6
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
28
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
18.1
Скорость записи, Гб/сек
6.8
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
3693
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link