RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
32
Около 6% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.5
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
32
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
18.5
Скорость записи, Гб/сек
6.8
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
3356
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link