RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
32
Около 6% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.5
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
32
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
18.5
Скорость записи, Гб/сек
6.8
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
3356
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kllisre D4 8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link