RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
30
Около -3% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.1
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.0
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
29
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
17.1
Скорость записи, Гб/сек
6.8
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
3384
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link