RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
35
Около 14% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.8
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.1
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
35
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
14.8
Скорость записи, Гб/сек
6.8
11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
2566
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link