RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
79
Около 62% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14
10.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
79
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
14.0
Скорость записи, Гб/сек
6.8
6.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
1330
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
INTENSO 4GB
Mushkin 991586 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link