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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
79
左右 62% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14
10.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
79
读取速度,GB/s
10.6
14.0
写入速度,GB/s
6.8
6.8
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1479
1330
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM的比较
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
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