RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
30
Около -11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.5
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
27
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
18.5
Скорость записи, Гб/сек
6.8
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
3061
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link