RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
52
Около 42% меньшая задержка
Причины выбрать
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.5
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
52
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
20.5
Скорость записи, Гб/сек
6.8
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
2472
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link