RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
45
Около 33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
10.6
6.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
6.8
6.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
45
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
6.9
Скорость записи, Гб/сек
6.8
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, TBD2 V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
1499
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link