RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
45
Около 33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
10.6
6.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
6.8
6.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
45
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
6.9
Скорость записи, Гб/сек
6.8
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, TBD2 V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
1499
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link