RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Kingston 9905678-173.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
38
Около 21% меньшая задержка
Выше скорость чтения
10.6
10.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
6.8
4.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
38
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
10.4
Скорость записи, Гб/сек
6.8
4.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
1672
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link