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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Kingston 9905678-173.A00G 8GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
38
左右 21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
10.6
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
6.8
4.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
38
读取速度,GB/s
10.6
10.4
写入速度,GB/s
6.8
4.7
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1479
1672
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM的比较
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Crucial Technology BL51264BA160A.16FH 4GB
Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
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