RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Kingston 9905711-002.A00G 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
30
Около -30% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.3
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
23
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
16.0
Скорость записи, Гб/сек
6.8
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
2371
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB Сравнения RAM
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link