RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Kingston K6VDX7-HYD 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
104
Около -247% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.2
2,404.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
30
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
13.5
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
7.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
2154
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link