RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
104
Wokół strony -247% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.2
2,404.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
7.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2154
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link