RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Kingston XF875V-MIH 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Kingston XF875V-MIH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
34
Около 12% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston XF875V-MIH 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.8
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
34
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
14.8
Скорость записи, Гб/сек
6.8
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
2785
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Kingston XF875V-MIH 8GB Сравнения RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kllisre D4 8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link