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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Kingston XF875V-MIH 8GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
Kingston XF875V-MIH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
34
左右 12% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston XF875V-MIH 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.8
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.7
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
34
读取速度,GB/s
10.6
14.8
写入速度,GB/s
6.8
12.7
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1479
2785
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
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