RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
54
Около 44% меньшая задержка
Выше скорость чтения
10.6
9.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.3
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
54
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
9.3
Скорость записи, Гб/сек
6.8
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
1904
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70QB0-YH9 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link