RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
44
Около 32% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.8
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
44
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
10.6
Скорость записи, Гб/сек
6.8
8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
2374
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link