RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
44
Около 32% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.8
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
44
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
10.6
Скорость записи, Гб/сек
6.8
8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
2374
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link