RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
36
Около 17% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.9
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.5
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
36
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
14.9
Скорость записи, Гб/сек
6.8
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
2589
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link