RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
30
Около -36% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.9
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.5
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
22
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
15.9
Скорость записи, Гб/сек
6.8
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
2611
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
A-DATA Technology ADOVF1B163BEG 2GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link