RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
35
Около 14% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.5
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.3
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
35
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
13.5
Скорость записи, Гб/сек
6.8
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
2155
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB Сравнения RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link