RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
56
Около 46% меньшая задержка
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.1
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.5
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
56
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
20.1
Скорость записи, Гб/сек
6.8
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
2455
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link