RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
30
Около -7% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.2
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.3
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
28
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
17.2
Скорость записи, Гб/сек
6.8
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
3273
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link