RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Сравнить
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB против Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
32
Около 16% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
12.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
32
Скорость чтения, Гб/сек
12.2
15.6
Скорость записи, Гб/сек
7.8
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1763
3122
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70QB0-YH9 8GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Kllisre 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link