RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Сравнить
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB против SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
37
Около 27% меньшая задержка
Причины выбрать
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.4
12.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.6
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
37
Скорость чтения, Гб/сек
12.2
15.4
Скорость записи, Гб/сек
7.8
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1763
2321
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link