RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Confronto
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
37
Intorno 27% latenza inferiore
Motivi da considerare
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.4
12.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.6
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
37
Velocità di lettura, GB/s
12.2
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
11.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1763
2321
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link