RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Сравнить
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
-->
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.6
12.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
46
Около -44% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
14.2
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
32
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
15.6
Скорость записи, Гб/сек
13.6
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
21300
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2717
3279
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link