RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Сравнить
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB против Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
-->
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
46
Около -77% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.9
13.6
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
26
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
17.7
Скорость записи, Гб/сек
13.6
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
21300
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2717
3692
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link