RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Сравнить
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB против Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
-->
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.2
12.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
11.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
46
Около -48% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
31
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
12.9
Скорость записи, Гб/сек
13.6
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2717
2136
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link