RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Сравнить
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB против Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
-->
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.2
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
46
Около -28% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
36
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
12.6
Скорость записи, Гб/сек
13.6
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2717
2055
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link