RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Сравнить
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
-->
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
46
Около -109% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.5
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.2
13.6
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
22
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
18.5
Скорость записи, Гб/сек
13.6
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2717
3392
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link