RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Сравнить
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB против G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
-->
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
46
Около -84% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
19.4
13.6
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
25
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
21.0
Скорость записи, Гб/сек
13.6
19.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2717
4129
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link