RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Сравнить
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB против G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
46
Около -84% меньшая задержка
Выше скорость чтения
25.2
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
19.5
13.6
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
25
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
25.2
Скорость записи, Гб/сек
13.6
19.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2717
4167
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link