RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Сравнить
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.6
12.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
46
Около -77% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.2
14.2
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
26
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
16.2
Скорость записи, Гб/сек
13.6
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
21300
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2717
2955
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
UMAX Technology 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link