RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Сравнить
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB против Kingston 9965662-002.A01G 16GB
-->
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Средняя оценка
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.2
8.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
8.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
46
Около -35% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
34
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
8.6
Скорость записи, Гб/сек
13.6
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2717
2079
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
INTENSO 5641162 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link