SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB против Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB

Различия

  • Выше скорость записи
    13.6 left arrow 13.5
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    22 left arrow 46
    Около -109% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    18.2 left arrow 14.2
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    46 left arrow 22
  • Скорость чтения, Гб/сек
    14.2 left arrow 18.2
  • Скорость записи, Гб/сек
    13.6 left arrow 13.5
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    21300 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Тайминги / частота
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2717 left arrow 3201
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения