RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Сравнить
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB против Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
-->
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.6
13.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
46
Около -109% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
14.2
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
22
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
18.2
Скорость записи, Гб/сек
13.6
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
21300
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2717
3201
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link