RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Сравнить
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB против Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
-->
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.2
14.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
46
Около -70% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
27
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
14.1
Скорость записи, Гб/сек
13.6
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2717
2436
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1600D364L11/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link