RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Сравнить
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB против Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
-->
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.2
11.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
8.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
46
Около -48% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
31
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
11.4
Скорость записи, Гб/сек
13.6
8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2717
2371
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link