RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Сравнить
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB против Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
-->
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.6
11.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
46
Около -39% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.2
14.2
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
33
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
15.2
Скорость записи, Гб/сек
13.6
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2717
2774
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link