RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Сравнить
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB против Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
-->
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.6
11.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
46
Около -39% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.2
14.2
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
33
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
15.2
Скорость записи, Гб/сек
13.6
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2717
2774
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link