RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Сравнить
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB против Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
-->
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Средняя оценка
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.2
12
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
9.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
46
Около -64% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
28
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
12.0
Скорость записи, Гб/сек
13.6
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2717
2347
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB Сравнения RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston 99U5471-037.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-036.A00LF 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link