RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Сравнить
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB против Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
-->
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Средняя оценка
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.6
8.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
46
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.5
14.2
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
23
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
15.5
Скорость записи, Гб/сек
13.6
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
21300
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2717
2414
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link