RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Сравнить
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB против SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
100
Около 54% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.6
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.2
14.2
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
100
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
15.2
Скорость записи, Гб/сек
13.6
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2717
1479
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link