RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Сравнить
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB против Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
-->
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
35
Около 37% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
14.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
10.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
22
35
Скорость чтения, Гб/сек
17.7
14.5
Скорость записи, Гб/сек
12.7
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3075
2664
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Сравнения RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link