Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB против Kingston 9905624-043.A00G 8GB

-->

Средняя оценка

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Средняя оценка

Kingston 9905624-043.A00G 8GB

Kingston 9905624-043.A00G 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Сообщить об ошибке

Kingston 9905624-043.A00G 8GB

Причины выбрать
Kingston 9905624-043.A00G 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

17.8 17.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.7 12.7

Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Kingston 9905624-043.A00G 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

22 22
Скорость чтения, Гб/сек

17.7 17.8
Скорость записи, Гб/сек

12.7 13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

21300 21300

Other

Описание

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

3075 3077

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB

Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB

модули RAM

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB

Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB

Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB

Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB

модули RAM

Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB

G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB

SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB

Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB

модули RAM

Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB

Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB

G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB

G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB

модули RAM

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB

Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB

Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB

Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB

модули RAM

AMD R534G1601U1S 4GB

AMD R534G1601U1S 4GB

Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB

Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB

Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB

модули RAM