RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Сравнить
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB против Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
-->
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Средняя оценка
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
31
Около 29% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.5
17.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
12.7
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
22
31
Скорость чтения, Гб/сек
17.7
19.5
Скорость записи, Гб/сек
12.7
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3075
3518
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Сравнения RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link