RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Porównaj
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Wynik ogólny
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
31
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
17.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
12.7
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
22
31
Prędkość odczytu, GB/s
17.7
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.7
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3075
3518
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link