RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Сравнить
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB против SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
37
Около 41% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
12.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
22
37
Скорость чтения, Гб/сек
17.7
15.6
Скорость записи, Гб/сек
12.7
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3075
2314
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Сравнения RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R744G2606U1S 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link